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Deposition沉積系統(tǒng): AT-400原子層沉積 PLD脈沖激光沉積 PA-MOCVD等離子輔助 ALD原子層沉積系統(tǒng) PECVD等離子化學氣相沉積系 Sputter磁控濺射系統(tǒng) E-Beam電子束蒸發(fā) 熱蒸發(fā)鍍膜熱蒸發(fā)鍍膜離子束刻蝕濺射鍍膜一體機光學元件原子級拋光鍍膜設(shè)備

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NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)：能夠沉積高質(zhì)量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到Z大可達12“ 直徑的基片上.采用淋浴頭電極或中空...

型號：所在地：國外參考價：面議更新時間：2017/3/3 11:00:02 對比

NPE-4000PECVD等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...

型號：所在地：國外參考價：面議更新時間：2017/3/3 10:59:00 對比

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭...

型號：所在地：國外參考價：面議更新時間：2017/3/3 10:58:33 對比

NPE-4000（M） PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋浴頭電極或...

型號：所在地：國外參考價：面議更新時間：2017/3/3 10:58:08 對比

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片.淋...

型號：所在地：國外參考價：面議更新時間：2017/3/3 10:57:41 對比

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12“ 的基片...

型號：所在地：國外參考價：面議更新時間：2017/3/3 10:57:13 對比

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)
NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6“ 基片...

型號：所在地：國外參考價：面議更新時間：2017/3/3 10:56:49 對比

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng)

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