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電流面內(nèi)隧穿測試儀

橢偏儀

紅外光譜

臺階儀

摩擦磨損試驗(yàn)機(jī)

光學(xué)輪廓儀

納米壓痕儀

原子力顯微鏡

產(chǎn)地類別	進(jìn)口	光斑尺寸	50 μmmm
光譜范圍	190 nm - 1700 nmnm	膜厚測量準(zhǔn)確度	<0.2%nm
應(yīng)用領(lǐng)域	石油,電子,綜合

Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE
——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測量的先進(jìn)多模計(jì)量
FilmTek™ 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了FilmTek技術(shù)，為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進(jìn)薄膜測量應(yīng)用提供了業(yè)界的精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測量尺寸和模式識別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。

詳細(xì)介紹

Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

——用于幾乎所有先進(jìn)薄膜或產(chǎn)品晶片測量的先進(jìn)多模計(jì)量

Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE

FilmTek™ 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統(tǒng)結(jié)合了專有的FilmTek技術(shù)，為從研發(fā)到生產(chǎn)的幾乎所有先進(jìn)薄膜測量應(yīng)用提供了業(yè)界精度、精度和多功能性。其標(biāo)準(zhǔn)的小點(diǎn)測量尺寸和模式識別能力使該系統(tǒng)成為表征圖案化薄膜和產(chǎn)品晶片的理想選擇。

作為我們組合計(jì)量產(chǎn)品線（“標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE"）的一部分，F(xiàn)ilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE能夠地滿足主流應(yīng)用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測量要求，并由標(biāo)準(zhǔn)儀器提供。

它在超薄到薄膜（特別是多層堆疊中的薄膜）上提供了異常精確和可重復(fù)的厚度和折射率測量。此外，與傳統(tǒng)的橢偏儀和反射儀相比，該系統(tǒng)對這些樣品中的不均勻性更加敏感。這是FilmTek 2000標(biāo)準(zhǔn)桿數(shù)-SE多模設(shè)計(jì)的結(jié)果，該多模設(shè)計(jì)將基于高性能旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器的光譜橢圓偏振儀與我們的多角度差分偏振測量（MADP）和差分功率譜密度（DPSD）技術(shù)、擴(kuò)展/寬光譜范圍DUV多角度偏振反射儀、我們拋物面鏡光學(xué)設(shè)計(jì)相結(jié)合，以及先進(jìn)的Filmtek軟件。

允許同時(shí)確定：
·多層厚度
·折射率[n（λ）]
·消光（吸收）系數(shù)[k（λ）]
·能帶隙
·成分（例如，SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等）
·表面粗糙度
·組分，空隙率
·結(jié)晶度/非晶化（例如多晶硅或GeSbTe薄膜）
·薄膜梯度

系統(tǒng)組件：

標(biāo)準(zhǔn)：

可選：

旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器設(shè)計(jì)的橢圓偏振光譜法（295nm-1700nm）
多角度偏振光譜反射（190nm-1700nm）
獨(dú)立測量薄膜厚度和折射率
多角度差分偏振（MADP）技術(shù)與SCI的差分功率譜密度（DPSD）技術(shù)
非常適合測量超薄薄膜（天然氧化物的重復(fù)性為0.03?）
用于成像測量位置的攝像機(jī)
模式識別
50微米光斑尺寸
高級材料建模軟件
具有高級全局優(yōu)化算法的Bruker廣義材料模型

各向異性測量（nx、ny、nz）的廣義橢圓偏振法（4×4矩陣泛化法）
盒式到盒式晶片處理
FOUP和SMIF兼容
模式識別（Cognex）
SECS/GEM

Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE典型應(yīng)用領(lǐng)域：
幾乎所有厚度從小于1?到約150µm的半透明膜都可以高精度測量。典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：
硅半導(dǎo)體
復(fù)合半導(dǎo)體
LED/OLED
具有靈活的硬件和軟件，可以輕松修改以滿足客戶需求，特別是在研發(fā)和生產(chǎn)環(huán)境中。

膜厚范圍	0 ? to 150 µm
膜厚精度	±1.0 ? for NIST traceable standard oxide 100 ? to 1 µm
光譜范圍	190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard)
光斑尺寸的測量	25 µm - 300 µm (normal incidence); 2 mm (70°)
樣本量	2 mm - 300 mm (150 mm standard)
光譜分辨率	0.3 nm - 2nm
光源	Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime)
探測器類型	2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR)
帶自動聚焦的自動舞臺	300 mm (200 mm is standard)
電腦	Multi-core processor with Windows™ 10 Operating System
測量時(shí)間	<1 sec per site (e.g., oxide film)

性能規(guī)格

Film(s)	厚度	測量參數(shù)	精確 (1σ)
氧化物 / 硅	0 - 1000 ?	t	0.03 ?
	1000 - 500,000 ?	t	0.005%
	1000 ?	t , n	0.2 ? / 0.0001
	15,000 ?	t , n	0.5 ? / 0.0001
	150.000 ?	t , n	1.5 ? / 0.00001
氮化物 /硅	200 - 10,000 ?	t	0.02%
氮化物 /硅	500 - 10,000 ?	t , n	0.05% / 0.0005
光刻膠 /硅	200 - 10,000 ?	t	0.02%
光刻膠 /硅	500 - 10,000 ?	t , n	0.05% / 0.0002
多晶硅 / 氧化物 /硅	200 - 10,000 ?	t Poly , t Oxide	0.2 ? / 0.1 ?
多晶硅 / 氧化物 /硅	500 - 10,000 ?	t Poly , t Oxide	0.2 ? / 0.0005