一 、 生化需氧量 - BOD

（ 一 ） BOD 簡(jiǎn)介

BOD（Biochemical Oxygen Demand 的簡(jiǎn)寫(xiě)）：生化需氧量或生化耗氧 量(五日化學(xué)需氧量)，表示水中有機(jī)物等需氧污染物質(zhì)含量的一個(gè)綜合指示。說(shuō)明水中有機(jī)物由于微生物的生化作用進(jìn)行氧化分解，使之無(wú)機(jī)化或氣體化時(shí)所消耗水中溶解氧的總數(shù)量。其單位 ppm 或毫克/升表示。其值越高說(shuō)明水中有機(jī)污染物質(zhì)越多，污染也就越嚴(yán)重。

為了使檢測(cè)資料有可比性，一般規(guī)定一個(gè)時(shí)間周期，在這段時(shí)間內(nèi)， 在一定溫度下用水樣培養(yǎng)微生物，并測(cè)定水中溶解氧消耗情況，一般采用五天時(shí)間，稱為五日生化需氧量，記做BOD5。數(shù)值越大證明水中含有的有機(jī)物越多，因此污染也越嚴(yán)重。

BOD，生化需氧量（BOD）是一種環(huán)境監(jiān)測(cè)指標(biāo)，主要用于監(jiān)測(cè)水體中有機(jī)物的污染狀況。一般有機(jī)物都可以被微生物所分解，但微生物分解水中的有機(jī)化合物時(shí)需要消耗氧，如果水中的溶解氧不足以供給微生物的需要，水體就處于污染狀態(tài)。BOD才是有關(guān)環(huán)保的指標(biāo)。

（ 二 ） BOD 檢測(cè)方法

經(jīng)典的“稀釋接種法” ：通過(guò)一個(gè)溶氧探頭測(cè)試樣品在5天恒溫培養(yǎng)前后的溶氧數(shù)值差值，即BOD5值；這是*的EPA方法。

“壓差法” ：利用呼吸法測(cè)試BOD，氧的減少會(huì)產(chǎn)生一定的壓力差，而這個(gè)壓力差可以通過(guò)一個(gè)壓力探頭感測(cè)出來(lái)。這是一種非常實(shí)用且容易操作的方法。

兩種方法截然不同，但是在市政污水處理上通常都會(huì)用到這兩種測(cè)試方法。這兩種方法都要求將水樣在20 °C條件下培養(yǎng)5天。此兩種方法的BOD測(cè)定儀，德國(guó)WTW都可提供，特別的無(wú)汞壓差法BOD測(cè)定儀OxiTop在中國(guó)廣泛應(yīng)用已達(dá)十幾年，廈門(mén)隆力德作為WTW代理已有十幾年，供貨不但質(zhì)量有保障，且售后服務(wù)好，技術(shù)服務(wù)中心可提供技術(shù)解答、儀器維修等一系列服務(wù)。

（ 三 ） BOD 計(jì)算

生化需氧量的計(jì)算方式如下：

BOD（mg / L）=（D1-D2） / P

D1：稀釋后水樣之初始溶氧（mg / L）

D2：稀釋后水樣經(jīng) 20 ℃ 恒溫培養(yǎng)箱培養(yǎng) 5 天之溶氧（mg / L）

P=【水樣體積（mL）】 / 【稀釋后水樣之zui終體積（mL）】

生化需氧量和化學(xué)需氧量的比值能說(shuō)明水中的有機(jī)污染物有多少是微生物所難以分解的。微生物難以分解的有機(jī)污染物對(duì)環(huán)境造成的危害更大。

（ 四 ） BOD 與 COD 區(qū)別

與 COD（化學(xué)需氧量，ChemicalOxygenDemand）區(qū)別：COD,化學(xué)需氧量 是以化學(xué)方法測(cè)量水樣中需要被氧化的還原性物質(zhì)的量。水樣在一定條件 下，以氧化1 升水樣中還原性物質(zhì)所消耗的氧化劑的量為指標(biāo)，折算成每升水樣全部被氧化后，需要的氧的毫克數(shù)，以 mg/L 表示。它反映了水中受 還原性物質(zhì)污染的程度。該指標(biāo)也作為有機(jī)物相對(duì)含量的綜合指標(biāo)之一。

二 、 電源檢測(cè) - BOD

對(duì)于單片機(jī) 5V 系統(tǒng)，設(shè)置 BOD 電平為 4.0V；對(duì)于 3V 系統(tǒng)，設(shè)置 BOD 電平為 2.7V。然后允許 BOD 檢測(cè)。

這樣，一旦單片機(jī)的供電電壓低于 BOD 電平，單片機(jī)進(jìn)入 RESET（不執(zhí) 行程序了）。而當(dāng)電源恢復(fù)到 BOD 電平以上，單片機(jī)才正式開(kāi)始從頭執(zhí)行 程序。保證了系統(tǒng)的可靠性！

當(dāng)電壓跌至 2.5V，系統(tǒng)程序還能工作。這是有 2 個(gè)可怕的現(xiàn)象可能出 現(xiàn)：

1、外圍芯片工作已經(jīng)混亂，單片機(jī)讀到的東西不正確，造成程序的執(zhí) 行發(fā)生邏輯錯(cuò)誤（不是單片機(jī)本身的原因）。

2、當(dāng)電源低到臨界點(diǎn)，如 2.4V 時(shí)，并且在此忽上忽下的，單片機(jī)本 身的程序執(zhí)行也不正常，取指令、讀數(shù)據(jù)都可能發(fā)生錯(cuò)誤，或程序亂飛、 不穩(wěn)定，非常容易造成 EEPROM、FALSH 的破壞。有人問(wèn) 51 怎么不會(huì)？實(shí)際 上 51 也是這樣，只是 51 內(nèi)部沒(méi)有直接寫(xiě) EEPROM、FLASH 的指令，它的程 序亂飛留不下痕跡。還有人有疑問(wèn)：外掛 EEPROM，掉電時(shí)怎么不會(huì)改寫(xiě)？ 實(shí)際是外掛 EEPROM，當(dāng)電壓低于 4V（2.7V）時(shí)，它已經(jīng)不工作了，程序去 改內(nèi)容也改不了。