背景
Sauerbrey 1 是第一個認識到石英晶體微天平(QCM)技術潛在用途的人，并證明了這些壓電器件對 QCM 電極表面質量變化的極其敏感的性質。他的研究結果體現(xiàn)在 Sauerbrey 方程中，該方程將QCM 電極表面單位面積的質量變化與觀察到的晶體振蕩頻率的變化聯(lián)系起來：?f = - Cf .?m (equation 1)
其中，
?f-觀察到的頻率變化，以 Hz 為單位，
?m-單位面積質量變化，以 g/cm2 為單位，C f -所用晶體的靈敏度系數(shù)（即 56.6 Hz µg -1 cm2 用于室溫下 5MHz AT-cut 石英晶體）。
Sauerbrey 方程依賴于線性靈敏度系數(shù) C f ，這是 QCM 晶體的一個基本特性。因此，在理論上，QCM 質傳感器不需要校準。然而，必須記住的是，Sauerbrey 方程只嚴格適用于均勻的、剛性的、薄膜沉積2 。真空和氣相薄膜沉積不能滿足這些條件，實際上表現(xiàn)出更復雜的頻率-質量相關性，通常需要一些校準才能得到準確的結果。多年來，QCM 一直被認為是氣相質量探測器；然而，最近，隨著科學家們意識到它們可以與液體和粘彈性沉積物接觸，使得它們的應用得到了擴展。在這種情況下，石英振蕩器的頻率和串聯(lián)諧振電阻對于完*表征與晶體電極接觸的材料是非常重要的。用于流體的 QCM 開發(fā)開辟了一個新的應用領域，包括電化學和微流變學。最近的發(fā)揮在那集中在定制電極表面化學（即專門的聚合物涂層），以便這些設備可以被應用于(1)特定氣體檢測，(2)環(huán)境監(jiān)測，(3)生物傳感，(4)基本表面分子相互作用研究的鑒別質量檢測器。
本章的目的是為QCM用戶提供不同的測量和校準技術的簡要介紹，并簡要描述用于解釋結果的、*常用的理論模型。對這些主題的全面討論顯然超出了本說明的范圍。然而，從真空薄膜沉積到電化學實驗中，已經發(fā)表了許多關于 QCM 的操作和校準的文章，QCM 用戶可以參考本章末尾的出版物列表以獲得更詳細的信息。
QCM 振蕩器
石英晶體諧振器的 Butterworth van Dyke（BVD）電學模型3 如圖 1 所示。該模型常用于表示晶體諧振器在接近串聯(lián)諧振時的電學行為，該模型在預測 AT-cut 石英晶體在 QCM 應用中的頻移和損耗方面也很有用。
圖 1：石英晶體諧振器的 Butterworth van Dyke 模型。
BVD 電模型由兩條電路組成。運動臂具有三個系列組件，由晶體的質量和粘性載荷修改：(1)R m（電阻）對應于安裝結構和與晶體接觸的介質的振蕩能量耗散（即粘性溶液引起的損耗），(2)C m（電容）對應于振蕩中存儲的能量，與石英和周圍介質的彈性有關；(3)L m（電感）對應于振蕩的慣性分量，它與振動過程中位移的質量有關。對于 QCM 系統(tǒng)中使用的直徑 1 英寸的 5MHz 晶體，這些參數(shù)的典型值為 C m =33fF，L m =30mH 和 R m =10Ω（用于干晶體），R m =400Ω（水中的晶體），或 R m =3500Ω（88%甘油的晶體）。
運動臂由寄生電容 C o 分流，C o 表示晶體電極、支架和連接器電容的靜態(tài)電容之和。在 QCM 系統(tǒng)4 中，C o 約為 20pF，通過將電子器件直接放置在晶體支架上，從而消除電纜電容，從而保持了較小的值。
在 QCM 應用中，當質量增加到晶體電極時，運動電感 L m 增加——串聯(lián)諧振的頻移是增加質量的敏感指標，小于 1ng/cm 2 的薄膜可以很容易地通過 QCM 分辨出來。運動電阻 R m也可以提供有關該過程的重要變量，因為軟薄膜和粘性液體會增加運動損耗，從而增加 R m 的值。
圖 2.振蕩器電路由 AGC 放大器、石英電阻器和負載電阻器組成。
將晶體放置在振蕩器電路中提供了一種測量其運動參數(shù)的簡單方法5 。圖 2 顯示了 BVD 晶體模型，由自動增益控制放大器驅動（AGC），且端接負載電阻 R L 。通過將 R L 上的電壓返回到 AGC 放大器的輸入端，如果有足夠的增益，電路將以環(huán)路周圍相移為 0°（或 360°的整數(shù)倍）的頻率振蕩（Barkhausen準則）。如果沒有C o ，則很容易看出在C m 和L m 的串聯(lián)諧振是(即f SR = [ 1 / [2.Π .(L m .C m )1/2 ])滿足相位條件.在串聯(lián)諧振時，C m 和 L m 的電抗抵消，只留下 R m 。在這種情況下，一個值為 A v =（R m + R L ）/ R L 的放大器增益將提供 1 的環(huán)路增益來維持振蕩。
不幸的是，C o 在 QCM 應用中不能被忽略。在圖 2 所示的電路中，C o 向 R L 注入超前電流，該超前電流必須通過運動臂被滯后電流抵消，以達到零相位條件。這需要電路運行在串聯(lián)諧振至上，其中C m 和 L m 的凈電抗是感應的。事實上，如果 R m 足夠大，運動臂可能無法提供足夠的滯后電流來抵消通過 C o 的超前電流，電路也可能根本不會振蕩。
圖 3.C 0 變零的振蕩器電路。
圖 3 顯示了一種取消 C o 的方法。在這個電路中，AGC 放大器驅動具有兩個次級繞組的變壓器。一個次級驅動晶體和負載像以前一樣，而另一個則是次級反轉電壓。反轉電壓源通過可調電容器 C v注入電流，以抵消通過 C o 注入的電流。當可調電容等于 C o 時，可以實現(xiàn)精確的抵消。在 SRS 的QCM25晶體控制器中，C v 是一個變容器，通過找到維持振蕩所需增益最小的偏置設置，使其等于C o 。
圖 4.用 C v 抵消 C 0 的振蕩器電路模型。
在 C o 取消后，電路簡化為如圖 4 所示。對于該電路，在 C m 和 L m 的電抗抵消的串聯(lián)諧振中實現(xiàn)了零相位條件。在串聯(lián)諧振時，R m 和 R L 形成一個電阻衰減器，需要 AGC 增益 A v =（R m + R L ）/ R L來維持振蕩。通過了解維持振蕩所需的 AGC 增益6 A v ，我們可以確定 R m = R L .(A v - 1)。
電容抵消
QCM 系統(tǒng)采用了一種零電容 C o 的方法，以確保測量的頻率和電阻值與石英振蕩器的真實串聯(lián)諧振參數(shù)相對應。
QCM 模擬控制器的前面板包括(1)十轉表盤，以控制變容（C v ）所需的偏置電壓，(2)開關，用于將控制器設置為調整模式以進行零補償。
有兩種方法可以操作 QCM 模擬控制器在零 C o 的串聯(lián)諧振振蕩。
C o 中的單位間變化足夠小，C v 的可重復性足夠好（±2pF），大多數(shù)用戶可以將變容器偏置設置為一個固定值，從而忽略這個問題。將十轉表盤設置為 5.0，這將為變容器提供 6.0 伏的反向偏置，使 C v 約為 18pF。這種方法推薦用于 R m 很低的“干燥"的應用，不推薦用于 R m 可能很高的“粘性"的應用（如甘油溶液）。
帶有電導鎖定峰值檢測電路的零電容 C o 。在調整模式下，該單元將用 75Hz 正弦波調制變容偏置，并指示 C o 共同補償是高、低還是空為零。從十轉表盤設置為 5.0 開始（LED 應指示晶體正在振蕩），并切換到調整模式。如果高 LED“打開"，則降低表盤上的設置，如果低 LED“打開"，則增加設置，并將表盤鎖定在兩個空 LED 燈以相同強度發(fā)光的值范圍的中間。完成后，將開關返回到 HOLD模式。
一般來說：
?電容抵消對于精確測量液體和有損薄膜（即軟膜）是*不可少的。
?每次晶體環(huán)境發(fā)生改變時，都應檢查并重新調整電容抵消。例如，當從空氣過渡到液相時。
?必須在實際測量環(huán)境中使用晶體 holder 和晶體進行抵消調整。
頻率測量
QCM 提供了一個頻率輸出端口（BNC）。
實際上，任何商用的頻率計數(shù)器都可以測量由 QCM 頻率輸出提供的 50Ω 中的 2.4Vpp 方波的頻率，通過其計算機接口進行設置和讀取計數(shù)器相對簡單。
頻率計數(shù)器的選擇標準
針對 QCM 應用的頻率計數(shù)器的選擇標準包括：分辨率、速度、時基穩(wěn)定性、計算機接口和軟件驅動。需要仔細的選擇，否則頻率計數(shù)器可能會降低質量測量的測量結果。
下表列出了來自 QCM 控制器的針對晶體在水中的頻率信號的典型特征。
頻率計數(shù)器的許多特性是由它的時基決定的：如果時基使頻率改變 10ppm，那么結果值也會改變 10ppm。雖然計數(shù)器的時基的準確性不是特別重要，但時基的穩(wěn)定性是至關重要的，因為時基的變化與晶體表面累積質量的變化難以區(qū)分。通常制造商會指*精度和老化，但不指*短期穩(wěn)定性。在幾乎所有的使用中，如果允許他們長時間的使用，短期穩(wěn)定性將會改善。為了避免降低頻率測量，時基穩(wěn)定性應該優(yōu)于 0.002Hz/5MHz 或 1：4·10 -10 (1s)。
計數(shù)器的速度/分辨率也很重要：在典型的 QCM 測量中，累積質量可以快速變化，并且希望在一秒間隔內以 1:10 -10 的分辨率進行頻率測量，以免顯著降低質量分辨率或增加測量噪聲。在一秒鐘的間隔內簡單地計數(shù)頻率輸出的周期并不能提供比 1：5·10 6 更好的分辨率，因此需要一個更復雜的“計數(shù)器"架構。一個“倒數(shù)插值"計數(shù)器可以提供比每個門間隔±1 個周期更好的頻率分辨率。
幾乎所有的頻率計數(shù)器都可以測量由 QCM 頻率輸出的 50Ω 中的 2.4Vpp 方波的頻率。
計數(shù)器可與 RS-232 或 IEEE-488（或兩者）通訊，以方便接口計數(shù)器與計算機進行數(shù)據采集。接口的速度不是很重要，因為通常每秒只讀取一次。通過計算機接口進行設置和讀取計數(shù)器相對簡單。美國國家儀器實驗室視圖產品或其他數(shù)據采集程序的軟件驅動程序通常是可用的。
用于 SRS QCM 測量的頻率計數(shù)器如下（2002 年 10 月價格）：
頻率測量中的誤差
QCM25 晶體控制器將在使整個環(huán)路的相移為 360°的頻率上振蕩。在環(huán)路中相位偏移的重要因素包括：
1.180°來自反相放大器 A 1 。
2.180°+[37µ°/ Hz 偏離 5MHz]來自低通濾波器。
3.0°+[0.20°/pF（R m =40Ω）或 0.81°/pF（R m =375Ω）]，來自未補償?shù)?Co。
4.0° + [0.20°/Hz (R m =40?) or 0.04°/Hz( R m =375?) 來自 R s / R m / R L 環(huán)路中的晶體產生的串聯(lián)諧振偏差。
如果存在額外的相移（#2 或#3），振蕩器將遠離串聯(lián)諧振，從而使晶體環(huán)路（#4 上面）消除外來的相移。額外的相移值較小，加上晶體環(huán)路的 dφ/df 比較大，則使這些頻率誤差很小。
QCM25 晶體控制器僅適用于 5MHz 晶體。晶體頻率的常規(guī)精度為 100ppm，或 500Hz。低通濾波器在從 5MHz 到 500Hz 時將增加額外的相移偏差 37µ°/ Hz x 500Hz=0.0185°，這將導致干晶體偏離串聯(lián)諧振 0.0185°/0.20°/Hz=0.092Hz，或濕晶體偏離串聯(lián)諧振 0.0185°/0.04°/Hz=0.462Hz。由于低通濾波器的 dφ/df 比濕晶體的 dφ/df 小 1000 倍，因此低通濾波器不會對串聯(lián)諧振頻率的測量產生顯著的誤差。
通過調制零值 C o 的可變電容，并使用同步檢測來定位最小增益操作點，QCM 允許用戶重復地將零值 C o 調到±0.01pF。相應的濕晶體相位誤差為±0.01pF×0.81°/pF=±0.0081°，頻率重現(xiàn)性為±0.0081°/0.04°/Hz=±0.20Hz。這個誤差幾乎是微不足道的了。
在水中，頻率漂移的主要來源是液體粘度對溫度的依賴性：在水中 5MHz AT-cut 晶體的串聯(lián)諧振頻率將增加約 8Hz/℃。
頻率誤差因素匯總（在水中，?f=700Hz）
電阻測量
QCM 模擬控制器提供一個電導7 電壓輸出(BNC 端口），這與晶體的運動串聯(lián)諧振電阻有關：
R m =10000·10 -Vc/5 -75（equation 2），
其中，R m 串聯(lián)諧振運動電阻，以 Ω 為單位
V c 電導電壓輸出，以 V 為單位。
建議使用高精度數(shù)字電壓表8 進行測量，至少具有 6 位分辨率和計算機接口。
電阻計算
圖 5. QCM 增益模型
QCM25 晶體控制器的增益模型如圖 5 所示。在串聯(lián)諧振時，晶體的運動電感和運動電容的電抗相互抵消，因此晶體可以僅用晶體的運動電阻 R m 來表示。（還假設靜電電容 C o 如前所述已為零）。如果有足夠的增益來克服電路損耗，電路將在環(huán)路周圍的凈相移為 360°的頻率上振蕩。
模型中的兩個電路提供了相移，反相放大器提供 180°的相移，低通濾波器調整為 5MHz 時提供了 180°的相移，因此，電路將在晶體具有電阻性的頻率上振蕩，即在串聯(lián)諧振時振蕩。
回路增益是每個電路器件的增益（或衰減）的乘積。如果回路增益恰好為 1，那么振蕩振幅將保持在一個固定的水平，AGC 電路通過由電壓控制的可變衰減器來控制回路的增益。
從左到右，該電路由以下幾個部分組成：
1. 一種電壓控制可變衰減器，衰減為 A a 。自動增益控制電路產生電壓，使振蕩幅度在 1V pp 的固定水平。衰減器由該電壓控制，在 0 到 1V dc 之間，提供 50dB/Volt 的衰減，使 A a =10 -Vagc· 50/20 。AGC 電壓在 QCM25 晶體控制器中放大 5 倍，在 QCM 模擬控制器中放大 2.5 倍，然后通過 QCM 前面板上的電導 BNC 輸出。因此，QCM 電導輸出 BNC 處的參考電壓 V c ，A a =10 -Vc/5 。
2. 一個固定增益放大器，增益為 A 1 =45 dB+20log（250/200）=46.94 dB（或-222x）。該反相放大器的帶寬為 500MHz，因此引入了的額外相移很小。
3. 100Ω 的源電阻 R s 。該源電阻由兩個串聯(lián) 50Ω 電阻組成，其中一個在放大器 A 1 內部。通過隨后的 2:1 變壓器，該源阻抗降低了 4 倍，至 25Ω。
4. 具有 2：1 匝數(shù)比的隔離變壓器，因此衰減為 A t =0.5x，該變壓器允許晶體與振蕩器電路的電流隔離，這在電化學應用中是很重要的。除了將源阻抗降低 4 倍外，變壓器還將變壓器輸入端的負載阻抗增加 4 倍，因此當 R m =0Ω 時，負載將為 200Ω。
5. R m ，晶體在串聯(lián)諧振時的運動電阻。R m 的變化范圍，干晶體的約為 10-40Ω，水中的晶體約為 375Ω，90%（w/w）甘油/水溶液中的約為 5kΩ。
6. 第二個隔離變壓器，匝數(shù)比為 1：1，該變壓器允許晶體與振蕩器電路的電流隔離。
7. 負載電阻 R L 為 50Ω。R s 、R m 和 R L 的電路提供了一個回路衰減 A n ，它取決于晶體的運動電阻。A n = R L /（R s /4 + R m + R L ）。
8. 增益可調的射頻放大器 A 2 ，增益約為 4.43 倍。該放大器的增益 A 2 在校準期間設置，以補償所有其他電路元件的增益變化。
9. 低通濾波器。該濾波器是一個 5 階貝塞爾低通濾波器，f c =3.7MHz，調整后可在 5MHz 時提供 180°的相移。該濾波器的相移，加上反相放大器 A 1 的 180°相移，一起提供了振蕩所需的360°相移。低通濾波器需要抑制由于環(huán)路放大器的高帶寬而產生的雜散振蕩，低通濾波器在5MHz 時的信號衰減約 A f =-7.8dB（或 0.407x）。
現(xiàn)在可以計算出晶體在串聯(lián)諧振下的運動電阻。當電路以恒定的振幅振蕩時，環(huán)路周圍所有元件的增益（或衰減）的乘積就是 1。因此，
A a · A 1 · A t · A n · A 2 · A f = 1
重新排列并用方程代替 A n ，
1 / An= ( R s /4 + R m + RL) / R L = A a · (A 1 · A t · A 2 · A f )
求解 Rm，
R m = R L · A a · (A 1 · A t · A 2 · A f ) – R L – R s / 4
從上述電壓衰減器的特性來看，A a = 10 -Vc/5 ，其中 V c 是在 QCM 上電導輸出 BNC 處的電壓。在工廠校準時調整 A 2 ，使增益（A 1 ·A t ·A 2 ·A f ）= 200。所以我們得出，
R m = 10,000·10 -Vc/5 -75，
其中，
R m -運動串聯(lián)諧振電阻，以 Ω 為單位
V c -電導電壓輸出，以 V 為單位。
晶體在串聯(lián)諧振時的運動電阻 R m 可有上式計算。見下圖 6， R m vs.V c ：
圖 6.運動串聯(lián)諧振電阻與電導電壓的關系
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