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當(dāng)前位置:> 供求商機> IXF-2CF-Nd-O-5-125-D-摻釹 光纖
Nd Doped Fibers 摻釹 光纖
摻釹 光纖
用于890 - 1100nm之間的光纖激光器
iXblue提供全系列的釹纖維,具有一些的性能。
iXblue釹鋁硅酸鹽雙包層纖維通過精確控制的主成分,最大限度地提高了纖維效率。與標(biāo)準(zhǔn)釹纖維相比,通過精心的纖維設(shè)計優(yōu)化,減少了1.06微米的發(fā)射。
我們的雙包層纖維定期測試各種參數(shù),如光變暗和環(huán)境行為。
單包層纖維也被提出,將是理想的建立種子源。
優(yōu)點和特點
| 應(yīng)用程序 |
主機組成優(yōu)化為高能效和低集群 低剪接損耗 高NA,高性能低折射率包層 低背景損耗 低宏彎曲損耗在工作波長
| 0.9 ~ 1.064µm光纖激光器 播種機源在10xx nm
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基于w型折射率摻釹光纖的920nm飛秒全pm光纖Mamyshev振蕩器(MO)能有效抑制1064nm附近的發(fā)射。激光裝置使用Exail無源(IXF-2CF-PAS-PM-4-80-0.16)和增益nd摻雜(IXF-2CF-Nd-PM-5-80-W)光纖。我們提出了一種緊湊的被動鎖模光纖激光器,發(fā)射波長近910 nm,具有全保偏光纖激光器結(jié)構(gòu)。環(huán)形腔激光器配置包括抽芯905nm高效脈沖摻釹光纖激光器,頻率轉(zhuǎn)換至452nm和226nm在這項工作中,我們提出了一個納秒脈沖主振蕩器功率放大器(MOPA)激光系統(tǒng)的開發(fā),該系統(tǒng)基于釹的3能級躍遷,使用一種新型的低NA偏振維持nd摻雜二氧化硅。226 nm深紫外四倍頻摻釹光纖激光源(af3a.5)我們展示了基于四倍頻全pm摻nd光纖激光器的226nm激光源。DUV激光器提供平均功率175mW,脈沖50ns,重復(fù)頻率30kHz。
連續(xù)波摻釹光纖激光器內(nèi)倍頻產(chǎn)生452nm波長7.5 w藍光
我們提出了第一個倍頻摻釹光纖激光器,在450nm附近產(chǎn)生多瓦的連續(xù)波功率。在近900 nm的摻釹光纖激光器中集成了一個含LBO非線性晶體的領(lǐng)結(jié)諧振腔。該方案在不需要對內(nèi)部諧振腔進行任何主動控制的情況下,實現(xiàn)了接近55%的紅外到藍色轉(zhuǎn)換效率。
瓦級單頻可調(diào)諧釹mopa光纖激光器,工作波長為915-937 nm
研制了915 ~ 937 nm光譜窗的瓦級單頻可調(diào)諧光纖激光器。該激光器基于摻釹光纖主振蕩器功率放大器架構(gòu),采用20 mW擴展腔二極管激光器作為種子激光器,具有兩個放大級。
單包層纖維
型號: | 纖芯直徑(um) | 包層直徑(um) | 涂敷層直徑(um): |
IXF-NDF-3-125-HD | 3±0.5 | 125±2um | 245±15um |
IXF-NDF-PM-3-125 | 3±0.5 | 125±2um | 245±15um |
IXF-NDF-PM-3-125-HD | 3±0.5 | 125±2um | 245±15um |
雙包層纖維
型號: | 纖芯直徑(um) | 包層直徑(um) | 涂敷層直徑(um): |
IXF-2CF-Nd-O-5-125-D | 4.5±0.5 | 125±3um | 245±15um |
IXF-2CF-Nd-PM-5-80-W-D1 | 4.7±0.5 | 77±3 | 165±15 |
IXF-2CF-Nd-PM-20-80-V2 | 20±2 | 80±3um | 170±10um |
IXF-2CF-Nd-PM-30-130 | 30±2 | 125±3um | 245±15um |
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