供應(yīng)591C/1100/5/3/0/0/0/00調(diào)速器

590+高性能直流傳動(dòng)

590+系列直流傳動(dòng)與690+變頻器同屬高性能傳動(dòng)家族,都提供自定義編程和設(shè)置等功能,具有相同的通訊接口模塊.590+高性能工程型直流傳動(dòng)

可以滿足zui復(fù)雜的直流電機(jī)控制要求.功能詳盡的應(yīng)用軟件(其中卷曲控制作為標(biāo)準(zhǔn)配置),模塊化編程以及可自定義的I/O使590+單傳動(dòng)模塊就

技術(shù)規(guī)格:

功率配置

590+四象限逆變回饋型:2個(gè)全控3相晶閘管橋;

591+二象限非逆變回饋型：1個(gè)全控3相晶閘管橋；

晶閘管控制可調(diào)磁場。

電樞電流

規(guī)格1：15A,35A

規(guī)格2: 40A,70A,110A,165A

規(guī)格3: 180A,270A

規(guī)格4: 380A,500A,725A,830A

規(guī)格5: 1580A

規(guī)格H: 1200A,1700A,2200A,2700A

過載能力:電流為15-450A傳動(dòng),200%過載zui長10秒鐘;150%過載,zui長30秒鐘.大于700A規(guī)格,不同規(guī)格有不同的過載能力,請參見手冊.

電樞電壓:Varmature(max)=Vac * 1.2

技術(shù)規(guī)格:

功率配置

590+四象限逆變回饋型:2個(gè)全控3相晶閘管橋;

591+二象限非逆變回饋型：1個(gè)全控3相晶閘管橋；

晶閘管控制可調(diào)磁場。

電樞電流

規(guī)格1：15A,35A

規(guī)格2: 40A,70A,110A,165A

規(guī)格3: 180A,270A

規(guī)格4: 380A,500A,725A,830A

規(guī)格5: 1580A

規(guī)格H: 1200A,1700A,2200A,2700A

過載能力:電流為15-450A傳動(dòng),200%過載zui長10秒鐘;150%過載,zui長30秒鐘.大于700A規(guī)格,不同規(guī)格有不同的過載能力,請參見手冊.

電樞電壓:Varmature(max)=Vac * 1.2

供應(yīng)591C/1100/5/3/0/0/0/00調(diào)速器

聯(lián)網(wǎng)方便:

通訊接口模塊可以直接安插在傳動(dòng)裝置上,使用戶能夠通過各種標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)場總線網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控傳動(dòng)系統(tǒng).可選的通

訊:LINK,DeviceNET,Controlnet,ProfiBus,ModBus,ModBus Plus,Ethernet,CANopen,LonWorks.

功能強(qiáng)大，完善：

供電電源：

110--220V(正負(fù)10%),規(guī)格1-5選項(xiàng)；

220--500V(正負(fù)10%),規(guī)格1-5選項(xiàng);

500--600V(正負(fù)10%),規(guī)格4-5選項(xiàng)；

500--690V(正負(fù)10%),規(guī)格H選項(xiàng).

磁場電流:

規(guī)格1:4A;     規(guī)格2-3:10A;

規(guī)格4-5:30A;  規(guī)格H:60A.

磁場電壓:Vfield(max)=Vac * 0.9

環(huán)境溫度：0-45度，<270A的規(guī)格;0-40度,>270A的規(guī)格.超過上限,溫度每升高1度,降容1%.zui高環(huán)境溫度為55度

海拔:500米以下正常使用,超過500米,每升高200米,降容1%,zui高為5000米.

模擬輸入:5個(gè)(1個(gè)12bits精度帶符號，4個(gè)10bits精度帶符號） 1個(gè)速度給定（正負(fù)10V DC),4個(gè)可自定義.

模擬輸出:3個(gè)(10bits A/D轉(zhuǎn)換精度） 1個(gè)電樞電流輸出（正負(fù)10V 或者0-10V),2個(gè)可自定義.

數(shù)字輸入:9個(gè)(24V DC,zui大15A） 1個(gè)程序控制停止，1個(gè)慣性停車，1個(gè)外部信號停車，1個(gè)啟停，5個(gè)可自定義。

數(shù)字輸出：3個(gè)（24V  100MA) 3個(gè)可自定義.

參考電壓輸入:3個(gè),-10V DC/10V DC/24V DC

590系列中所有的控制算法都由的高速16位微處理器（單片機(jī)）完成，控制軟件的結(jié)構(gòu)及微處 　理器的工作速度可保證所有控制回路的調(diào)節(jié)作用在主電路六個(gè)可控硅橋的轉(zhuǎn)換時(shí)間之內(nèi)完成，以保證電 　流環(huán)的的采樣時(shí)間小于3.3ms（50Hz電源）或2.67ms（60HZ電源），速度環(huán)算法運(yùn)算也可在此時(shí)間 　內(nèi)完成，以獲得*的動(dòng)態(tài)性能。

磁場電流:

規(guī)格1:4A;     規(guī)格2-3:10A;

規(guī)格4-5:30A;  規(guī)格H:60A.

磁場電壓:Vfield(max)=Vac * 0.9

環(huán)境溫度：0-45度，<270A的規(guī)格;0-40度,>270A的規(guī)格.超過上限,溫度每升高1度,降容1%.zui高環(huán)境溫度為55度

海拔:500米以下正常使用,超過500米,每升高200米,降容1%,zui高為5000米.

模擬輸入:5個(gè)(1個(gè)12bits精度帶符號，4個(gè)10bits精度帶符號） 1個(gè)速度給定（正負(fù)10V DC),4個(gè)可自定義.

模擬輸出:3個(gè)(10bits A/D轉(zhuǎn)換精度） 1個(gè)電樞電流輸出（正負(fù)10V 或者0-10V),2個(gè)可自定義.

數(shù)字輸入:9個(gè)(24V DC,zui大15A） 1個(gè)程序控制停止，1個(gè)慣性停車，1個(gè)外部信號停車，1個(gè)啟停，5個(gè)可自定義。

數(shù)字輸出：3個(gè)（24V  100MA) 3個(gè)可自定義.

參考電壓輸入:3個(gè),-10V DC/10V DC/24V DC