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Excite Pharos 飛秒激光剝蝕系統(tǒng)
- 公司名稱(chēng) 上海富瞻環(huán)??萍加邢薰?/a>
- 品牌 PMI/美國(guó)
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/10/18 13:21:07
- 訪問(wèn)次數(shù) 92
Fusions Diode 激光熔融系統(tǒng)半導(dǎo)體儀器設(shè)備刻蝕設(shè)備固態(tài)激光剝蝕系統(tǒng)Excite Pharos 飛秒激光剝蝕系統(tǒng)
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非甲烷總烴在線監(jiān)測(cè)儀,有機(jī)揮發(fā)物氣體監(jiān)測(cè)儀,沼氣檢測(cè)儀,大氣環(huán)境在線檢測(cè)儀,空氣質(zhì)量指數(shù)檢測(cè)儀器,大氣氣象綜合分析系統(tǒng),林業(yè)大氣環(huán)境檢測(cè)儀,交通環(huán)境大氣污染檢測(cè),惡臭工作站
Excite Pharos
飛秒激光剝蝕系統(tǒng)
Excite Pharos 飛秒激光剝蝕系統(tǒng)是市面上很具操作性的飛秒系統(tǒng),采用結(jié)構(gòu)緊湊、全密閉的工業(yè)級(jí)激光源,無(wú)需二次校準(zhǔn)和清潔維護(hù)。系統(tǒng)提供多種波長(zhǎng)可選,如1028nm、257nm、206nm,或配置多波長(zhǎng)切換控制,相對(duì)應(yīng)的能量密度為10J/cm2(1028nm)、5J/cm2(257nm)、3J/cm2(206nm),在長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行情況下剝蝕穩(wěn)定性RSD能達(dá)到0.1%。同時(shí)系統(tǒng)配備HelEx II雙體積雙氣路渦流樣品池,提供快速?zèng)_洗效率和持續(xù)的剝蝕環(huán)境。
產(chǎn)品特點(diǎn)
Photon Machines團(tuán)隊(duì)(縮寫(xiě)PMI)的激光剝蝕/激光燒蝕產(chǎn)品線為全球之一,其第一代產(chǎn)品于1995年問(wèn)世,該品牌具有豐富的激光剝蝕產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造及應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),產(chǎn)品線涉及213nm固體激光、193nm準(zhǔn)分子激光、飛秒激光系統(tǒng)(與ICP-MS聯(lián)用),及CO2和二極管激光熔融系統(tǒng)(與惰性氣體同位素質(zhì)譜聯(lián)用),此外多種高性能配件與更加直觀的分析軟件能夠增強(qiáng)并完善系統(tǒng)的功能,足以為全球元素分析用戶提供先進(jìn)的激光剝蝕技術(shù)。
Excite Pharos 飛秒激光剝蝕系統(tǒng)是市面上很具操作性的飛秒系統(tǒng),采用結(jié)構(gòu)緊湊、全密閉的工業(yè)級(jí)激光源,無(wú)需二次校準(zhǔn)和清潔維護(hù)。系統(tǒng)提供多種波長(zhǎng)可選,如1028nm、257nm、206nm,或配置多波長(zhǎng)切換控制,相對(duì)應(yīng)的能量密度為10J/cm2(1028nm)、5J/cm2(257nm)、3J/cm2(206nm),在長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行情況下剝蝕穩(wěn)定性RSD能達(dá)到0.1%。同時(shí)系統(tǒng)配備HelEx II雙體積雙氣路渦流樣品池,提供快速?zèng)_洗效率和持續(xù)的剝蝕環(huán)境。
注:使用飛秒激光剝蝕系統(tǒng)用于化學(xué)分析受,隸屬于Teledyne Photon Machines持有密歇根大學(xué)提供的全球許可,用于提供飛秒激光剝蝕系統(tǒng)。
技術(shù)參數(shù)
激光源為L(zhǎng)ight Conversion-Pharos 2mJ或Pharos SP 1.5 mJ
激光波長(zhǎng)1028nm、257nm、206nm可選
脈沖寬度<190fs-10ps
脈沖能量可達(dá)2mJ
可調(diào)脈沖頻率1-200kHz(步進(jìn)1Hz)
波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換選項(xiàng)廣(諧波發(fā)生器、OPA、NOPA、連續(xù)發(fā)生器)
只經(jīng)歷一次光學(xué)折射以減少脈沖展寬
每個(gè)波長(zhǎng)都有獨(dú)立的光路
獨(dú)立的視頻和激光光學(xué)控制單元,能夠更好的查看樣品剝蝕點(diǎn)
連續(xù)可調(diào)光斑大小1-65μm
兼容HelEx II雙體積雙氣路渦流樣品池
集成的冷卻系統(tǒng)減少實(shí)驗(yàn)室空間
應(yīng)用領(lǐng)域
基礎(chǔ)分析,半導(dǎo)體材料分析,地質(zhì)樣品分析,同位素比值研究