霍爾遷移率測試儀
- 公司名稱 九域半導(dǎo)體科技（蘇州）有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2024/11/18 15:50:24
- 訪問次數(shù) 118
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| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子,電氣,綜合 |
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霍爾遷移率測試儀產(chǎn)品描述
設(shè)備主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度?？蓪?shí)現(xiàn)單點(diǎn)測試，亦可以實(shí)現(xiàn)面掃描的測試功能，具有快速，無損，準(zhǔn)確等優(yōu)勢，可用于材料研發(fā)及工藝的監(jiān)測及質(zhì)量控制。
特點(diǎn)
適用于遷移率量測范圍在100cm²/V · s～3000cm²/V · s 的射頻HEMT外延片。非接觸，非損傷測試，具有測試速度快，
重復(fù)性佳，測試敏感性高，可以直接測試產(chǎn)品片等優(yōu)點(diǎn)。
技術(shù)參數(shù)
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規(guī)格 |
描述 |
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載流子遷移率測試范圍 |
100~20000 cm²/V·s |
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方塊電阻測試范圍 |
100-3000 Ω/sq |
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載流子濃度 |
1E+11 - 1E+14 |
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載流子遷移率動態(tài)重復(fù)性 |
≤2% |
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載流子遷移率靜態(tài)重復(fù)性 |
≤1% |
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載流子遷移率測試準(zhǔn)確性 |
±10% |
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方塊電阻測試動態(tài)重復(fù)性 |
≤2% |
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方塊電阻靜態(tài)重復(fù)性 |
≤1% |
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方塊電阻測試準(zhǔn)確性 |
±10% |
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測試樣品允許厚度 |
200-1500 μm |
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測試樣片尺寸 |
2”- 8” |
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磁感應(yīng)強(qiáng)度 |
1.0T可刪除可反轉(zhuǎn) |
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軟件功能 |
自動輸出包含Mapping，二維等高線圖3D圖的報告 |
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自動傳送測試能力 | 可選配 |
微波-霍爾法測試半導(dǎo)體方阻及載流子遷移率的原理
原理：
利用微波源發(fā)射微波通過波導(dǎo)將微波傳輸至測試樣品表面，在磁場作用下具有不同遷移率的樣品對微波的反射效果不同，
通過探測反射的微波功率再將其轉(zhuǎn)化為對應(yīng)的電導(dǎo)張量，從而建立模型可以計算出HEMT 結(jié)構(gòu)的載流子濃度和遷移率。
微波-霍爾法測試半導(dǎo)體方阻核心算法相關(guān)性
對應(yīng)信號和方阻值得擬合曲線，如下圖所示：
遷移率Mapping5點(diǎn)測試報告
| 報告時間 | 2023/08/17/ 11:43 | 測試樣本數(shù) | 5 |
| 分析時間 | 2023/08/17/ 11:30 | **遷移率 | 1852.68 |
| 操作員ID | admin | 最小遷移率 | 1794.41 |
| 襯底設(shè)置 | test | 平均遷移率 | 1813.35 |
| 襯底厚度 | 500μm | 標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 21.3136 |
| 尺寸規(guī)格 | 100mm | 相對標(biāo)準(zhǔn)偏差 | 1.1754% |
非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，晶圓、硅片厚度測試儀，表面光電壓儀JPV\SPV。為碳化硅、硅片、氮化鎵、氧化鎵、襯底和外延廠商提供測試和解決方案。
憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，并取得良好的市場口碑。主要應(yīng)用領(lǐng)域：碳化硅測試、氮化鎵測試、晶圓硅片測試、氧化鎵測試、襯底和外延廠商、光伏電池片測試。
霍爾遷移率（Hall mobility）是指Hall系數(shù)RH與電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱, 故特別稱為Hall遷移率。表示為μH =│RH│σ
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