反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機(jī)器
- 公司名稱(chēng) 北京瑞科中儀科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地
- 廠(chǎng)商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/10/10 10:12:58
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產(chǎn)地類(lèi)別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 石油,地礦,建材,綜合 |
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反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機(jī)器中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性,並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
因此,RIE製程是化學(xué)物理蝕刻製程,也是半導(dǎo)體製造中用於構(gòu)造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程,並提供高品質(zhì)的薄膜。
根據(jù)蝕刻技術(shù)的不同,等離子體蝕刻技術(shù)可以分為三類(lèi):純物理性質(zhì)的沖擊蝕刻、純化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)蝕刻和物理化學(xué)反應(yīng)的沖擊蝕刻。純粹的物理沖擊顯然與濺射物理學(xué)相似,氬元素(Ar)是由電離輝光釋放而成,利用氬離子的力量,將氬離子陰極微金屬?zèng)_擊在陰極板(晶圓)的位置,沖擊通過(guò)薄薄的頂層,氬離子陷阱蝕刻以再生轟擊,從而加速其實(shí)現(xiàn)蝕刻目標(biāo)。以這種方式轟擊粒子實(shí)現(xiàn)的蝕刻被稱(chēng)為具有純物理特性的沖擊蝕刻,因?yàn)樗菍⒓兡芰哭D(zhuǎn)化為物理特性。物理性質(zhì)的優(yōu)點(diǎn)是激勵(lì)波明顯分離加速和強(qiáng)定向,因此輪廓清晰,轉(zhuǎn)向圈具有良好的寬度和高各向異性。然而,通過(guò)純粹的物理沖擊實(shí)現(xiàn)蝕刻目標(biāo)的缺點(diǎn)是,當(dāng)要蝕刻的薄膜被蝕刻時(shí),暴露在等離子體上的金屬涂層也被蝕刻,導(dǎo)致蝕刻的選擇性比率很差。這是因?yàn)榻饘匐x子也會(huì)接觸到涂層基材,所以刻蝕的終點(diǎn)也需要精密控制,以避免造成基層的破壞。此外,由于受沖擊的材料通常是固體顆粒,這種化合物可以沉積在刻蝕膜的表面和側(cè)壁上,導(dǎo)致涂膜下的材料表面出現(xiàn)材料染色。
然后通過(guò)等離子體擴(kuò)散到未拉伸的薄膜和薄膜層材料的表面化學(xué)反應(yīng)基團(tuán)中,產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),純化學(xué)反應(yīng),化學(xué)反應(yīng)中產(chǎn)生的物質(zhì)帶有高度揮發(fā)性,并隨著未反應(yīng)的物質(zhì)一同被排出反應(yīng)腔體。純化學(xué)反應(yīng)蝕刻和濕法蝕刻一樣,也有優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),如良好的刻蝕選擇性比率、各向同性的蝕刻、成本低。
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備機(jī)器參數(shù)
應(yīng)用領(lǐng)域 | 腔體 |
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配置和優(yōu)點(diǎn) | 選件 |
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