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SOPHI-30 離子注入設(shè)備

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司
  • 品牌 ULVAC/日本愛發(fā)科
  • 型號(hào) SOPHI-30
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間 2024/9/6 11:11:02
  • 訪問次數(shù) 254
產(chǎn)品標(biāo)簽

離子注入設(shè)備SOPHI-30

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深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司目前已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng),軟件著作權(quán) 14 項(xiàng),是創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。

 

 

 

 

 

 

 

 

冷熱臺(tái),快速退火爐,光刻機(jī),納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發(fā)

1 產(chǎn)品概述:

      離子注入設(shè)備,又稱為離子注入機(jī),是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵設(shè)備之一。它通過將可控?cái)?shù)量的離子(如硼、磷、砷等)加速并注入到半導(dǎo)體材料(如硅片)的特定區(qū)域,以改變其電學(xué)性能,實(shí)現(xiàn)摻雜的目的。離子注入技術(shù)具有精確控制摻雜深度、濃度和橫向分布的能力,是現(xiàn)代集成電路制造中的一環(huán)。

離子注入設(shè)備主要由離子源、離子引出和質(zhì)量分析器、加速管、掃描系統(tǒng)和工藝腔等部分組成。離子源負(fù)責(zé)產(chǎn)生所需的離子,經(jīng)過質(zhì)量分析器篩選后,由加速管加速至幾百千電子伏特的能量,最后通過掃描系統(tǒng)均勻地注入到硅片表面。工藝腔則提供了一個(gè)真空環(huán)境,確保離子注入過程的順利進(jìn)行。

2 設(shè)備用途:

離子注入設(shè)備在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域具有廣泛的用途,主要包括以下幾個(gè)方面:

  1. 集成電路制造:在制造集成電路的過程中,離子注入技術(shù)用于形成晶體管的源極、漏極和溝道等關(guān)鍵區(qū)域,以及實(shí)現(xiàn)電路的隔離和互聯(lián)。

  2. 金屬材料表面改性:通過離子注入技術(shù),可以在金屬材料表面形成一層具有特殊性能的改性層,如提高耐磨性、耐腐蝕性和硬度等。

  3. 薄膜制備:離子注入技術(shù)還可以用于制備具有特定性能的薄膜材料,如超導(dǎo)薄膜、光學(xué)薄膜等。

3 設(shè)備特點(diǎn)

離子注入設(shè)備具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn):

  1. 精確控制:離子注入技術(shù)可以精確控制摻雜離子的種類、數(shù)量、深度和橫向分布,滿足集成電路制造中對(duì)摻雜精度要求。

  2. 低溫處理:與傳統(tǒng)的熱擴(kuò)散工藝相比,離子注入技術(shù)可以在較低的溫度下進(jìn)行,避免了高溫處理對(duì)半導(dǎo)體材料性能的影響。

  3. 廣泛應(yīng)用:離子注入技術(shù)不僅應(yīng)用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,還擴(kuò)展到金屬材料表面改性、薄膜制備等多個(gè)領(lǐng)域。


4
技術(shù)參數(shù)和特點(diǎn):

 •基板尺寸:Max200mm枚葉式

可對(duì)應(yīng)薄片Wafer

非質(zhì)量分離機(jī)的對(duì)比優(yōu)點(diǎn)

1)對(duì)應(yīng)低加速.高濃度的好產(chǎn)能離子注入設(shè)備

2)相比過去約一半的低價(jià)

3)相比過往設(shè)備占用面積為1/3的緊湊型設(shè)計(jì)


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