iNano、iMicro、G200X 納米壓痕儀
- 公司名稱 深圳市錫成科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號 iNano、iMicro、G200X
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2024/8/7 14:51:37
- 訪問次數(shù) 680
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臺階儀,光學(xué)輪廓儀,電化學(xué)工作站,納米壓痕儀,力電聯(lián)測材料試驗機,介電溫譜測量系統(tǒng),電阻測試儀,原子力顯微鏡,光學(xué)顯微鏡
產(chǎn)地類別 | 進口 | 價格區(qū)間 | 100萬-150萬 |
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儀器種類 | 納米壓痕儀 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
納米壓痕儀
基于Warren C. Oliver和George M. Pharr共同研究成果的Oliver- Pharr模型奠定了納米壓痕檢測的理論基礎(chǔ),至今仍然是納米壓痕通用的工作模型。Warren C. Oliver作為奠基者,研發(fā)了一臺納米壓痕儀,近年陸續(xù)推出了G200X、NanoFlip、iNano、iMicro和Gemini等多種力學(xué)平臺。
a 定量測試硬度、楊氏模量(ISO14577)
a 連續(xù)剛度測試技術(shù)
a 接觸剛度成像
a 電磁力加載,位移、載荷獨立控制。
a 多種載荷模塊:50mN、500mN、1000mN、10N
a 超高框架剛度1×107N/m
a NanoBlitz 3D /NanoBlitz 4D Mapping
a 多種功能選件:高溫測試、劃痕及磨損測試、ProbeDMA粘彈性測試、AccuFilm薄膜測試、Gemini多維度磨損測試、I-V測試
電磁力驅(qū)動載荷激發(fā)器
采用具有優(yōu)線性特性的電磁力驅(qū)動,高靈敏度的三片式電容傳感器,全系列納米力學(xué)產(chǎn)品在整個Z向量程范圍內(nèi)均能得到高精準(zhǔn)、高分辨的控制,確保X和Y向沒有任何偏移。
載荷激發(fā)器 | InForce 50 | InForce 1000 |
大載荷 | 50mN | 1000mN |
縱向載荷分辨率 | 3nN | 6nN |
壓頭移動范圍 | 45μm | 80μm |
位移噪音背景 | <0.01nm | <0.1nm |
位移數(shù)字分辨率 | 0.002nm | <0.004nm |
連續(xù)剛度測試技術(shù)
動態(tài)力學(xué)測試原理:準(zhǔn)靜態(tài)加載過程中,在壓頭上施加一個正玄波,從而表征出隨著壓痕深度、載 荷、時間或者頻率的變化材料力學(xué)性能的變化。
a 動態(tài)激發(fā)頻率:0.1Hz~1000Hz
a 單次動態(tài)力學(xué)測試可以代替>100 次靜態(tài)力學(xué)測試結(jié)果
a 在微小的力和位移測試下提供超精準(zhǔn)的動態(tài)力學(xué)測試
a 檢測高分子材料的復(fù)合彈性模量
a 檢測軟材料蠕變性能
NanoBlitz 3D原位力學(xué)性能Mapping
a 快速測量表面硬度和楊氏模量Mapping
a 同時給出不同成分的力學(xué)結(jié)果統(tǒng)計數(shù)據(jù)
a 不受樣品粗糙度和其他因素影響
a 快速壓痕單點<1s,分辨率100000個像素點
NanoBlitz 4D原位力學(xué)性能Mapping
a 基于連續(xù)剛度測試技術(shù)
a 測量硬度和彈性模量在XY軸的分布以及Z軸上隨壓入深度不同產(chǎn)生的變化
a 動態(tài)壓痕單點測試時間<3s
高速數(shù)據(jù)采集控制器
InQuest 是業(yè)內(nèi)響應(yīng)時間快、數(shù)據(jù)采集率高的控制系 統(tǒng),實現(xiàn)材料瞬間變化的捕捉:
a 數(shù)據(jù)高采集率:100kHz
a 控制器時間常數(shù):20us
橫向加載附件
NanoFlip 可提供 Gemini 雙子星選件,真正實現(xiàn)原位橫向力和橫向位移的直接測量,在納米尺度上精準(zhǔn)的實現(xiàn)多維度的磨損測試,實現(xiàn)多維度的動態(tài)力學(xué)工作模式:
a 測量材料的摩擦系數(shù)或泊松比
a 精確的載荷、位移、動態(tài)響應(yīng)在橫向和縱向的控制
a 多維度的硬度、磨損、黏附性的精準(zhǔn)測量
a 亞納米級移動精度的樣品臺,實現(xiàn)精確定位
a 實現(xiàn)橫向的納米和納牛級的準(zhǔn)靜態(tài)和動態(tài)測試
I-V測試附件
a 電壓范圍:1μv to 200V
a 電流范圍:10aA to 20mA
a 源表電壓范圍:5mV to 1000V