III-V族外延晶片
- 公司名稱 深圳市唯銳科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時間 2024/10/9 16:57:44
- 訪問次數(shù) 963
聯(lián)系方式:張先生18038085221 查看聯(lián)系方式
聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
nanoplus激光器,DFB激光器,ICL激光器,QCL激光器,VIGO碲鎘汞探測器,InAsSb探測器,單光子探測器,單光子計(jì)數(shù)卡,金屬涂層高溫光纖,中紅外光纖,空芯光纖,透反射探頭,熒光探頭,環(huán)形光探頭,III-V族外延晶圓,ARCoptix傅里葉紅外光譜儀
供貨周期 | 兩周 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工 |
---|
III-V族外延晶片 波蘭VIGO公司成立于1993年,擁有一支超過30年紅外探測器研究經(jīng)驗(yàn)的資深專家隊(duì)伍,是MCT/InAs/InAsSb探測器的設(shè)計(jì)者和制造商,提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片,覆蓋1-16μm光譜范圍,同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。
產(chǎn)品介紹
VIGO的ENT外延部門生產(chǎn)III-V(GaAs-,InP-)相關(guān)的半導(dǎo)體化合物,在外延方面有35年的經(jīng)驗(yàn),并且能夠根據(jù)客戶需求提供定制服務(wù)。VIGO利用MOCVD外延技術(shù)制備了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半導(dǎo)體的原子工程外延層,具有德國柏林廠商Laytec的監(jiān)控生產(chǎn)系統(tǒng),擁有水平層流反應(yīng)器,進(jìn)行基片載流子的多次旋轉(zhuǎn)產(chǎn)品。這條新產(chǎn)品線擴(kuò)展了VIGO公司的產(chǎn)品組合,為各種微電子和光子應(yīng)用提供外延服務(wù),下游的應(yīng)用包含三極管,二極管,激光器,探測器等。具有以下特點(diǎn):
-
外延納米技術(shù),超越單一技術(shù)解決方案
-
大規(guī)模生產(chǎn)或小批量制造,提供多類優(yōu)質(zhì)外延片
-
生產(chǎn)的高級III-V族化合物半導(dǎo)體外延結(jié)構(gòu),被廣泛運(yùn)用于光子設(shè)備(F-P、VCSEL、QCL激光器、光電探測器)、微電子設(shè)備(二極管、晶體管)
-
聚焦無線、電信、傳感或打印領(lǐng)域的高度創(chuàng)新型產(chǎn)品,可提供全面的研發(fā)服務(wù)。
III-V族外延晶片主要特點(diǎn)
-
超高純度
-
精確控制厚度在±1nm
-
優(yōu)秀的均勻性
-
重現(xiàn)性
-
可外延尺寸 2, 3, 4,8英寸
產(chǎn)品性能
XRD曲線:
產(chǎn)品純度一致性:
表面粗糙度:
量子井:
產(chǎn)品應(yīng)用
半導(dǎo)體類型:
-
場效應(yīng)晶體管,被動器件,高遷移率晶體管
-
EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots
-
LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness
-
InGaAs, AlGaAs探測器,SWIR, LWIR
外延晶圓類型:
-
GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P
-
InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y
GAAS BASED PRODUCTS | INP BASED PRODUCTS | ||
AlGaAs/GaAs | QW edge emitting lasers
VCSELs FETs, HEMTs, Schottky diodes varactors | InGaAsP/InP | strained or matched QW edge emitting lasers and SOAs 1300 – 1600nm |
GaAsP/GaAs | strained QW edge emitting lasers | InGaAs/InP | QW edge emitting lasers |
InGaAsP/GaAs | QW lasers 808nm | InGaAsP/InP | VCSEL structures |
InGaAs/AlGaAs/GaAs | strained QW lasers | InAlGaAs/InP | edge emitting and VCSEL structures |
InAs/GaAs | QD lasers | InGaAsP/InP | passive devices |
AlGaAs/GaAs | passive waveguides | InGaAs | photodetectors |
Manufactured to specification | InAlAs/InGaAs/InP | HEMTs | |
Manufactured to specification |