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美國bm 骨內(nèi)應(yīng)力與電信號對骨細(xì)胞生長研究

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主營產(chǎn)品:

1、德國BIO-SYS、bioreader酶聯(lián)免疫斑點(diǎn)分析系統(tǒng)(Elispot)

2、美國Bmseed 細(xì)胞力、電刺激、成像系統(tǒng)

3、美國Tissue growth體外三維組織應(yīng)力加載培養(yǎng)、測試分析系統(tǒng)設(shè)備

4、美國Flocel、DIV-BBB體外血腦屏障模型系統(tǒng)

5、美國SRLI、BTC-2000皮膚、軟組織等彈性材料機(jī)械特性實(shí)時(shí)測定系統(tǒng)

6、美國CDF、VCU細(xì)胞組織顱腦損傷控制儀

7、動(dòng)物科學(xué)、高性比價(jià)微量注射泵、微流泵等科研設(shè)備

8、各種3D細(xì)胞培養(yǎng)板




ELispot分析儀,細(xì)胞電生理等科研儀器,試劑耗材

應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),制藥,綜合 模塊化力、電生理、成像三合一 集成
拉伸 應(yīng)變率≤80/s,應(yīng)變≤50% 多通道微電極 2x60
高分辨率活細(xì)胞成像 2MP分辨率下每秒高達(dá)2000幀

骨內(nèi)應(yīng)力與電信號對骨細(xì)胞生長研究

骨內(nèi)應(yīng)力與電信號對骨細(xì)胞生長研究

美國 2D/3D可牽張拉伸微電極陣列刺激與記錄系統(tǒng)

機(jī)械力刺激

電刺激記錄

高分辨率成像三合一


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美國bm廠家的3D微電極陣列將推進(jìn)基于類器官的神經(jīng)和神經(jīng)退行性疾病模型

3D 貼合微電極陣列,用于記錄生理上完整的腦類器官的電信號。 BMSEED 的新技術(shù)將使研究人員能夠準(zhǔn)確評估這些結(jié)構(gòu)的健康狀況和功能,以推進(jìn)眾多領(lǐng)域的藥物測試和組織工程。

傳統(tǒng)到的商業(yè)微電極陣列是扁平的,因此它們只能記錄球形類器官表面積的一小部分,而BM的 3D 微電極陣列大限度地與類器官表面接觸,以收集比以前更多的神經(jīng)信號。

3D 微電極陣列為球形類器官創(chuàng)建一個(gè)更貼近自然地環(huán)境,以模擬健康和疾病狀態(tài)的大腦功能。 這項(xiàng)新技術(shù)將推動(dòng)創(chuàng)傷性腦損傷、阿爾茨海默病及相關(guān)癡呆癥、慢性創(chuàng)傷性腦病、自閉癥等方面的研究。

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Bmseed應(yīng)用場景

1、力-電多物理場作用是生命活動(dòng)的基本屬性之一

生命物質(zhì)包括細(xì)胞和各種組織器官都能產(chǎn)生電活動(dòng)和都受到應(yīng)力刺激,盡管它們電位的和電活動(dòng)產(chǎn)生機(jī)理不相同。

這是生命活動(dòng)的基本屬性之一。

研究表明,電磁場的刺激和機(jī)械載荷的刺激一樣影響著細(xì)胞的形態(tài)結(jié)構(gòu)及功能,細(xì)胞的生長、發(fā)育、成熟、增殖、

衰老、死亡及癌變,細(xì)胞的分化及其調(diào)控機(jī)理。

所以,單一功能的機(jī)械載荷裝置或單一功能的電刺激裝置、單一功能的微電極細(xì)胞電活動(dòng)記錄裝置、單一功能的細(xì)

胞電信號分析裝置已經(jīng)不能適應(yīng)生命活動(dòng)的基本屬性,不能滿足靈活的科研設(shè)計(jì)。

BMSEED建立了新的多場耦合作用下體外細(xì)胞刺激記錄分析模型,將多通道微電極電刺激、細(xì)胞阻抗定量測量、電活

動(dòng)記錄以及生長因子作為非力學(xué)因素引入模型,增加模型中的綜合因素,使模型更加合理化。

2、該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)靈活的力-電可耦合刺激

使研究者設(shè)計(jì)研究:應(yīng)力本身引起還是由應(yīng)力產(chǎn)生的電位引起,或是兩者都起作用?

3、該系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)阻抗定量測量以及活細(xì)胞電活動(dòng)記錄表征

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體內(nèi)腦研究

用于腦研究應(yīng)用的 ECoG 電極


顱骨表面:腦電圖(EEG)

  • 優(yōu)點(diǎn):隨著時(shí)間的推移,非侵入性、穩(wěn)定的錄音

  • 缺點(diǎn):空間和時(shí)間分辨率低

大腦表面:皮層電圖 (ECoG)

  • 優(yōu)點(diǎn):比穿透電極侵入性更小,信噪比高,隨著時(shí)間的推移穩(wěn)定記錄

  • 缺點(diǎn):比 EEG 更具侵入性

大腦內(nèi)部:穿透電極 

  • 優(yōu)點(diǎn):高信噪比(接近神經(jīng)元)

  • 缺點(diǎn):高度侵入性(插入大腦),信號/噪聲和神經(jīng)元環(huán)境隨著時(shí)間的推移而惡化,可觸及的皮層區(qū)域有限




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