晶圓廠具有自動(dòng)缺陷檢測(cè)的原子力顯微鏡
全自動(dòng)AFM解決了缺陷成像和分析問題，提高缺陷檢測(cè)生產(chǎn)率達(dá)1000%。
帕克的智能ADR技術(shù)提供全自動(dòng)的缺陷檢測(cè)和識(shí)別，使得關(guān)鍵的在線過程能夠通過高分辨率3D成像對(duì)缺陷類型進(jìn)行分類并找出它們的來源。
智能ADR專門為半導(dǎo)體工業(yè)設(shè)計(jì)提供缺陷檢測(cè)解決方案，具有自動(dòng)目標(biāo)定位，且不需要經(jīng)常損壞樣品的密集參考標(biāo)記。與傳統(tǒng)的缺陷檢測(cè)方法相比，智能ADR過程提高了1000%的生產(chǎn)率。此外，帕克具有創(chuàng)新性的True-Contact™模式AFM技術(shù)，使得新的ADR有能力提供高達(dá)20倍的更長的探針壽命。

用于精確、高吞吐量CMP輪廓測(cè)量的低噪聲原子力輪廓儀
低噪聲Park原子力顯微鏡（AFM）與長距離滑動(dòng)臺(tái)相結(jié)合，成為用于化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）計(jì)量的原子力輪廓儀（AFP）。新的低噪聲AFP為局部和全面均勻性測(cè)量提供了非常平坦的輪廓掃描，具有*輪廓掃描精度和市場(chǎng)可重復(fù)性。這保證了在寬范圍的輪廓量程上沒有非線性或高噪聲背景去除的精確高度測(cè)量。

超高精度和最小化探針針尖變量的亞埃級(jí)表面粗糙度測(cè)量
晶圓的表面粗糙度對(duì)于確定半導(dǎo)體器件的性能是至關(guān)重要的。對(duì)于元件制造商，芯片制造商和晶圓供應(yīng)商都要求對(duì)晶圓上超平坦表面進(jìn)行更精確的粗糙度控制。通過提供低于 0.5 Å的業(yè)界噪聲，并將其與真正的非接觸式模式相結(jié)合，Park NX-Wafer能夠可靠地獲得具有最小針尖變量的的亞埃級(jí)粗糙度測(cè)量。Park的串?dāng)_消除還允許非常平坦的正交XY掃描，不會(huì)有背景曲率，即使在最平坦的表面上，也不需過多考慮掃描位置、速率和大小。這使得其非常精確和可重復(fù)地對(duì)微米級(jí)粗糙度到長范圍不平整表面進(jìn)行測(cè)量。

為在線晶圓廠計(jì)量提供高生產(chǎn)率和強(qiáng)大特性
光片和基板的自動(dòng)缺陷檢測(cè)
新的300mm光片ADR提供了從缺陷映射的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和校正到缺陷的測(cè)量和放大掃描成像的全自動(dòng)缺陷復(fù)查過程，該過程不需要樣品晶片上的任何參考標(biāo)記，是*重映射過程。與掃描電子顯微鏡（SEM）運(yùn)行后在缺陷部位留下方形的破壞性輻照痕跡不同，新的帕克 ADR AFM能夠?qū)崿F(xiàn)*的坐標(biāo)轉(zhuǎn)換和更強(qiáng)的視覺，利用晶圓邊緣和缺口來自動(dòng)實(shí)現(xiàn)缺陷檢查設(shè)備和AFM之間的連接。由于它是*自動(dòng)化的，因此不需要任何單獨(dú)的步驟來校準(zhǔn)目標(biāo)缺陷檢查系統(tǒng)的移動(dòng)平臺(tái)，從而將吞吐量增加到1000%。

基于強(qiáng)大視覺進(jìn)行自動(dòng)傳送和缺陷映射的校正
利用Park的專有坐標(biāo)轉(zhuǎn)換技術(shù)，新型Park ADR AFM能夠?qū)⒓す馍⑸淙毕輽z測(cè)工具獲得的缺陷精確地傳送到300mm Park AFM系統(tǒng)。

自動(dòng)搜索 & 放大掃描
缺陷分兩步成像；(1)檢測(cè)成像，通過AFM或增強(qiáng)光學(xué)視覺來完善缺陷定位，然后(2)放大AFM掃描來獲得缺陷的詳細(xì)圖像，呈現(xiàn)缺陷類型和隨后缺陷尺寸的自動(dòng)分析。

 CMP進(jìn)行表征的長范圍輪廓掃描
平坦化是在使用金屬和介電材料的后段工藝中最重要的步驟?；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）后的局部和全局均勻性對(duì)芯片制造的產(chǎn)量有很大的影響。精確的CMP輪廓掃描是優(yōu)化工藝條件、獲得最佳平坦度以及提高生產(chǎn)率的關(guān)鍵計(jì)量。
C結(jié)合Park NX-Wafer的滑動(dòng)平臺(tái)，為CMP計(jì)量提供了遠(yuǎn)程輪廓分析能力。由于Park自動(dòng)化原子力顯微鏡*的平臺(tái)設(shè)計(jì)，組合系統(tǒng)提供非常平坦的輪廓掃描，并且一般在每次測(cè)量之后不需要復(fù)雜的背景去除或前處理。Park NX-Wafer實(shí)現(xiàn)了CMP測(cè)量，包括凹陷、侵蝕和邊緣過度侵蝕（EOE）的局部和全局的平坦度測(cè)量。
亞埃級(jí)表面粗糙度控制
半導(dǎo)體供應(yīng)商正在開發(fā)超平坦晶圓，以解決不斷縮小元件尺寸的需求。然而，從來沒有一個(gè)計(jì)量工具能夠給這些擁有亞埃級(jí)粗糙度的襯底表面提供準(zhǔn)確和可靠的測(cè)量。通過在整個(gè)晶圓區(qū)域提供低于0.5A的業(yè)界噪聲下限，并將其與真正非接觸模式相結(jié)合，Park NX-Wafer可以對(duì)最平坦的基底和晶圓進(jìn)行精確、可重復(fù)和可再現(xiàn)的亞埃級(jí)粗糙度測(cè)量，并最小化針尖的變量。即使對(duì)于掃描尺寸達(dá)到100μm×100μm的遠(yuǎn)距離波度，也能夠獲得非常準(zhǔn)確和可重復(fù)的表面測(cè)量。
高吞吐量晶圓廠檢測(cè)和分析
• 自動(dòng)換針
• 設(shè)備前端模塊（EFEM）用于自動(dòng)晶圓傳送
• 潔凈室兼容性和遠(yuǎn)程控制接口
• 溝槽寬度、深度和角度測(cè)量的自動(dòng)數(shù)據(jù)采集和分析
Park NX-Wafer的特征
長范圍輪廓儀
長范圍輪廓儀是原子力輪廓儀（AFP）的重要組成部分，并且具有用于自動(dòng)CMP輪廓掃描和分析的專用用戶界面。
• 200mm : 10 mm
• 300mm : 25 mm (optional 10 mm or 50 mm)
采用閉環(huán)雙伺服系統(tǒng)的100μm×100μm柔性導(dǎo)向XY掃描器
XY掃描儀由對(duì)稱的二維撓曲和高-力的壓電堆組成，它們提供高度正交的運(yùn)動(dòng)，同時(shí)具有最小的平面外運(yùn)動(dòng)，以及納米尺度上精確樣品掃描所必需的高響應(yīng)性。兩個(gè)對(duì)稱的低噪聲位置傳感器被結(jié)合在XY掃描儀的每個(gè)軸上，以便為最大掃描范圍和樣品大小保持高水平的掃描正交性。非線性和非平面位置誤差的次級(jí)傳感器校正和補(bǔ)償是由單個(gè)傳感器引起的。
擁有低噪聲位置傳感器的15μm高速Z掃描器
NX-Wafer通過利用其超低噪聲Z探測(cè)器代替通常使用的非線性Z電壓信號(hào)，為用戶提供形貌高度得到的測(cè)量精度。低噪聲Z探測(cè)器取代應(yīng)用Z電壓作為形貌信號(hào)。由高-力壓電堆驅(qū)動(dòng)并由撓性結(jié)構(gòu)引導(dǎo)，標(biāo)準(zhǔn)Z掃描器具有高的諧振頻率，能夠進(jìn)行更精確的反饋。最大Z掃描范圍可由15μm擴(kuò)展到40μm，采用可選的長距離Z掃描儀。

自動(dòng)測(cè)量控制，使您可以獲得準(zhǔn)確的掃描避免繁瑣的工作
NX-Wafer配備了自動(dòng)化軟件，使操作幾乎不費(fèi)吹灰之力只要選擇所需的測(cè)量程序，就可獲得精確的多點(diǎn)分析懸臂調(diào)整，掃描速率，增益和設(shè)定點(diǎn)參數(shù)的優(yōu)化設(shè)置。
Park的用戶友好的軟件界面為您提供了創(chuàng)建定制操作例程的靈活性，以便您可以全方面使用NX-Wafer以獲得所需的測(cè)量。
創(chuàng)建新例程很容易。從零開始，大約需要10分鐘，或不到5分鐘修改現(xiàn)有的一個(gè)。
Park NX-Wafer的自動(dòng)化系統(tǒng)特點(diǎn):
• 無論是自動(dòng)模式，半自動(dòng)模式還是手動(dòng)模式，都可以*控制
• 每個(gè)自動(dòng)例程的可編輯測(cè)量方法
• 對(duì)測(cè)量過程進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
• 對(duì)獲得的測(cè)量數(shù)據(jù)的自動(dòng)分