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FEI “Q系列”掃描電子顯微鏡

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 廣州貝拓科學技術有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/7/18 11:46:51
  • 訪問次數(shù) 2464

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廣州貝拓科學技術有限公司成立于2010年8月,是國家高業(yè),廣州科技小巨人企業(yè),并在廣東股權交易中心成功掛牌(股權代碼:892081),通過ISO9001-2015質量體系認證和知識產(chǎn)權貫標認定體系,擁有近20項國家磚利。貝拓科學一直從事光譜分析儀器領域,自主研發(fā)儀器有光學接觸角測量儀,顯微拉曼光譜儀,表界面張力儀,白光干涉膜厚分析儀,陣列式紫外可見分光光度計,積分球式透反射率測試儀等。具備光學設計、機械設計、軟件編寫和算法編寫核心能力,和中山大學、廣州大學、華南師范大學有緊密的合作關系,并且是廣州大學物理與光電學院的長期實習基地。貝拓科學所研發(fā)生產(chǎn)的產(chǎn)品定位在國內(nèi)高水平,未來面向市場。

前臺.jpg

貝拓科學陪伴著科學家一起探索未知事件,“Touch the future”作為我們的口號,貝拓科學尊重以嚴謹?shù)目茖W理論為指導,為科學家提供有力的科研工具。我們默默堅持做前沿分析儀器的搬運工,陪伴科學家不斷成長。我們很榮幸作為一些有儀器生產(chǎn)廠家,例如:日本Hitachi,德國WITec,德國Bruker,英國OXFORD,美國ThermoFisher,Ametek旗下輸力強和普林斯頓,以及中國臺灣OtO等大電子儀器廠家的代理,一起為中國的科學家提供專業(yè)的服務。

 

我們的宗旨是為科學學提供更專業(yè),更貼心的服務。

我們的優(yōu)勢和專注點集中于材料測試方面,為了普惠科研工作者,我們還提供測試服務,其中包括材料的結構、元素分布、表面特征、物理化學特性以及光學、電學特性的分析。

材料分析領域代理品牌:

OXFORD(牛津)、FEI(賽默飛)、KeySight(前安捷倫納米部)、STOE、AMETEK(阿美特克)、TESCAN(泰思肯)、LEICA、KRUSS、BEL、HITACHI(日立)、OTO(中國臺灣超微光學)、WITec(威泰克)、BRUKER(布魯克)、普析、徠卡、本原納米等。

 

 

接觸角測量儀、在線測厚儀、光學膜厚儀、紅外光譜儀、拉曼成像光譜儀、拉曼電鏡、低溫恒溫器、掃描探針顯微鏡/原子力、納米壓痕劃痕儀、橢偏儀、熱分析、差示掃描熱儀

FEI “Q系列”掃描電子顯微鏡

對于失效分析、質量控制和材料表征而言、Q25是最經(jīng)濟、高效的高分辨成像和分析應用的解決方案。在設計上側重易用性、Q25可以讓用戶迅速得到他們所需的數(shù)據(jù)。 

為應對不導電樣品、Q25提供了低真空模式下的高性能、消除了對的樣品制備步驟或者附加的樣品鍍膜儀的需求。Q25樣品室的設計和真空系統(tǒng)能夠快速更換樣品、允許日常高效、快速檢測樣品。 

為滿足客戶對大樣品或塊狀樣品的要求、Q45提供了更大的真空樣品室和100mm的樣品臺行程。另外、Q45加上了環(huán)境掃描(ESEM)模式、擴展了SEM的成像和分析功能到加熱、含水或放氣的樣品。

 簡單易用,即使是新手利用直觀的軟件可實現(xiàn)高效操作。 
 利用穩(wěn)定的高束流(上至2 μA)電子束可以迅速獲得精確的分析結果。 
快速輕松表征導電和非導電樣品 
 支持可選的分析功能。利用獨有的多級穿過透鏡的真空系統(tǒng)在高真空和低真空下使導電樣品和不導電樣品的精確EDS分析成為可能。 
Q45 SEM: 采用為ESEM選配的帕爾貼冷臺可在樣品的自然含水狀態(tài)下完成樣品的動態(tài)原位分析。

FEI “Q系列”掃描電子顯微鏡

 分辨率加速
電壓
探針電流 樣品臺放大率試件室尺寸
Q25 SEM

High vacuum 

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30 kV (BSE)*

  • 8.0 nm at 3 kV (SE)

Low vacuum

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30k V (BSE)*

  • 10 nm at 3 kV (SE)

*optional

200 V - 30 kVup to 2 μA, continuously adjusted13 to 1000000x284 mm size left to right
Q45 SEM

High vacuum 

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30 kV (BSE)*

  • 8.0 nm at 3 kV (SE)

High vacuum with beam deceleration option 7.0 nm at 3 kV(BD mode* + vCD*) 

Low vacuum

  • 3.0 nm at 30 kV (SE)

  • 4.0 nm at 30k V (BSE)*

  • 10 nm at 3 kV (SE)

Extended vacuum mode (ESEM)
3.0 nm at 30 kV (SE) 

*optional

200 V - 30 kVup to 2 μA, continuously adjusted6 to 1000000x284 mm size left to right
 


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